NTHL022N120M3S

onsemi

NTHL022N120M3S

データシート

アナログ・電源

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 40A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3130 pF @ 800 V
メーカーonsemi
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.4V @ 20mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C68A (Tc)
最大消費電力352W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)