NTH4L028N170M1

onsemi

NTH4L028N170M1

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

量産中TO-247-4アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 60A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4230 pF @ 800 V
メーカーonsemi
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C81A (Tc)
最大消費電力535W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-4L

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)