NTH4L025N065SC1

onsemi

NTH4L025N065SC1

データシート

アナログ・電源

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

量産中TO-247-4アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs28.5mOhm @ 45A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3480 pF @ 15 V
メーカーonsemi
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 15.5mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C99A (Tc)
最大消費電力348W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-4L

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)