NTC080N120SC1

onsemi

NTC080N120SC1

データシート

アナログ・電源

SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V

旧品種Dieアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 20A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1112 pF @ 800 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+25V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 5mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
最大消費電力178W (Tc)

機械特性

パッケージTray
Package / CaseDie
サプライヤーデバイスパッケージDie

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)