NTBS9D0N10MC

onsemi

NTBS9D0N10MC

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 23A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1695 pF @ 50 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 131µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 60A (Tc)
最大消費電力3.8W (Ta), 68W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージD²PAK-3 (TO-263-3)

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)