NTBG060N065SC1

onsemi

NTBG060N065SC1

データシート

アナログ・電源

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

量産中TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1473 pF @ 325 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 6.5mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc)
最大消費電力170W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
サプライヤーデバイスパッケージD2PAK-7

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)