NTBG022N120M3S

onsemi

NTBG022N120M3S

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

量産中TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 40A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 800 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.4V @ 20mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
最大消費電力234W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
サプライヤーデバイスパッケージD2PAK-7

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)