一般
| メーカー | onsemi |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP Complementary |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| メーカー | onsemi |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP Complementary |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 14-PDIP |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|