一般
| ベース品番 | MJD25 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
| Power - Max | 1.4 W |
| Frequency - Transition | 40MHz |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | I-PAK |
環境条件
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|