一般
| ベース品番 | KSB11 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 1.5mA, 1.5A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1.5A, 2V |
| Power - Max | 1.3 W |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-126-3 |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|