見積依頼
ホーム/製品/ディスクリート半導体製品/トランジスタ/IGBTs/シングル IGBTs/HGTP5N120BND
HGTP5N120BND

onsemi

HGTP5N120BND

データシート

アナログ・電源

IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

旧品種TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Gate Charge53 nC
IGBT TypeNPT
入力タイプStandard
メーカーonsemi
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)65 ns
Switching Energy450µJ (on), 390µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C22ns/160ns
Test Condition960V, 5A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 5A

電気特性

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max167 W

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)

類似コンポーネント

HGTP5N120BNDのファミリ、メーカー、製品カテゴリから照合した類似コンポーネントです。

要レビュー

この部品の関連コンポーネントはまだ利用できません。