HGTD1N120BNS9A

onsemi

HGTD1N120BNS9A

データシート

アナログ・電源

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番HGTD1N120
Gate Charge14 nC
IGBT TypeNPT
入力タイプStandard
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
Switching Energy70µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C15ns/67ns
Test Condition960V, 1A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 1A

電気特性

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)5.3 A
Current - Collector Pulsed (Icm)6 A
Power - Max60 W

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージTO-252AA

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)