HGT1S10N120BNS

onsemi

HGT1S10N120BNS

データシート

アナログ・電源

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

生産終了TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番HGT1S10
Gate Charge100 nC
IGBT TypeNPT
入力タイプStandard
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
Switching Energy320µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C23ns/165ns
Test Condition960V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A

電気特性

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)80 A
Power - Max298 W

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージD²PAK (TO-263)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)