一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 3A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 20 V |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| 最大消費電力 | 1.9W (Ta) |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOP |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|