FQT4N20LTF

onsemi

FQT4N20LTF

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

量産中TO-261-4, TO-261AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.35Ohm @ 425mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310 pF @ 25 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズQFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C850mA (Tc)
最大消費電力2.2W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージSOT-223-4

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)