一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | FQS4900 |
| 構成 | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | QFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 60V, 300V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A, 300mA |
| Power - Max | 2W |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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