FQP4N80

onsemi

FQP4N80

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3

旧品種TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 1.95A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880 pF @ 25 V
メーカーonsemi
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
シリーズQFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A (Tc)
最大消費電力130W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)