取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 25 V |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| シリーズ | QFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 380mA (Tc) |
| 最大消費電力 | 890mW (Ta), 2.08W (Tc) |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
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