FQE10N20LCTU

onsemi

FQE10N20LCTU

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3

旧品種TO-225AA, TO-126-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds490 pF @ 25 V
メーカーonsemi
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
シリーズQFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
最大消費電力12.8W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-225AA, TO-126-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-126-3

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)