FQD10N20LTM

onsemi

FQD10N20LTM

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252

旧品種TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 3.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds830 pF @ 25 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズQFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Tc)
最大消費電力2.5W (Ta), 51W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージD-Pak

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)