FQA65N20

onsemi

FQA65N20

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN

生産終了TO-3P-3, SC-65-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 32.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7900 pF @ 25 V
メーカーonsemi
実装タイプThrough Hole
Product StatusLast Time Buy
シリーズQFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
最大消費電力310W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-3PN

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)