一般
| ベース品番 | FJP214 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | ESBC™ |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 300mA, 1.5A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 200mA, 5V |
| Power - Max | 120 W |
| Frequency - Transition | 15MHz |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-3 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 125°C (TJ) |
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