一般
| Gate Charge | 275 nC |
|---|---|
| IGBT Type | NPT and Trench |
| 入力タイプ | Standard |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5 µs |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Power - Max | 156 W |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3P |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|