FDMQ86530L

onsemi

FDMQ86530L

データシート

アナログ・電源

MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

量産中12-WDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 8A, 10V
ベース品番FDMQ86530
構成4 N-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2295pF @ 30V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズGreenBridge™ PowerTrench®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max1.9W

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ12-MLP (5x4.5)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)