FDMC2610

onsemi

FDMC2610

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP

量産中8-PowerWDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 2.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 100 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズUniFET™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
最大消費電力2.1W (Ta), 42W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-MLP (3.3x3.3)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)