FDFMA3N109

onsemi

FDFMA3N109

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

旧品種6-VDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs123mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 15 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズPowerTrench®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Tc)
最大消費電力1.5W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ6-MicroFET (2x2)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)