FDFM2N111

onsemi

FDFM2N111

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET

量産中6-WDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 4A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds273 pF @ 10 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズPowerTrench®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大消費電力1.7W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージMicroFET 3x3mm

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)