FCD600N65S3R0

onsemi

FCD600N65S3R0

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

生産終了TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds465 pF @ 400 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
シリーズSuperFET® III
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 600µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
最大消費電力54W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージD-PAK (TO-252)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)