FCD360N65S3R0

onsemi

FCD360N65S3R0

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds730 pF @ 400 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズSuperFET® III
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
最大消費電力83W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージD-PAK (TO-252)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)