2SJ635-TL-E

Name: 2SJ635-TL-E
Brand: onsemi

アナログ・電源

2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

旧品種TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 6A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 20 V
メーカー	onsemi
実装タイプ	Through Hole
Product Status	Obsolete
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA

ドレイン-ソース間電圧	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta)
最大消費電力	1W (Ta), 30W (Tc)

動作温度	150°C