一般
| ベース品番 | 2SD1801 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| ベース品番 | 2SD1801 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 800 mW |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TP |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|