一般
| メーカー | onsemi |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2mA, 40mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
機械特性
| Package / Case | 3-SSIP |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 3-SPA |