一般
| メーカー | onsemi |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 200mA |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| メーカー | onsemi |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Package / Case | 3-SSIP |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 3-SPA |