一般
| メーカー | onsemi |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 3mA, 30mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 900 mW |
| Frequency - Transition | 150MHz |
機械特性
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 3-MP |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|