一般
| ベース品番 | 2N6519 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 10V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
機械特性
| パッケージ | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|