一般
| ベース品番 | 2N522 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 3mA, 10mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 625 mW |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 |