一般
| ベース品番 | 2N5089 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 100µA, 5V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92 (TO-226) |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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