一般
| 出力構成 | Phototransistor |
|---|---|
| ベース品番 | EE-SX1160 |
| メーカー | Omron Electronics Inc-EMC Div |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 4µs |
| Sensing Distance | 0.374" (9.5mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| タイプ | Unamplified |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
機械特性
| パッケージ | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Module, PC Pins, Slot Type |
環境条件
| 動作温度 | -25°C ~ 80°C |
|---|