取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | SI4 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 5 V |
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tj) |
| 最大消費電力 | 2.5W (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|