PMPB40SNA115

NXP USA Inc

PMPB40SNA115

アナログ・電源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

量産中6-UDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 4.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds612 pF @ 30 V
メーカーNXP USA Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.9A (Tc)
最大消費電力1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージDFN2020MD-6

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)