PHD37N06LT,118

NXP USA Inc

PHD37N06LT,118

アナログ・電源

MOSFET N-CH 55V 37A DPAK

旧品種TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V
メーカーNXP USA Inc.
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス旧品種
シリーズTrenchMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±13V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Tc)
最大消費電力100W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージDPAK

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)