PHD16N03T,118

Name: PHD16N03T,118
Brand: NXP USA Inc

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK

旧品種TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 13A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	180 pF @ 30 V
メーカー	NXP USA Inc.
実装タイプ	Surface Mount
Product Status	Obsolete
シリーズ	TrenchMOS™
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

ドレイン-ソース間電圧	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.1A (Tc)
最大消費電力	32.6W (Tc)

動作温度	-55°C~175°C(TJ)