PHB18NQ10T,118

Name: PHB18NQ10T,118
Brand: NXP USA Inc

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK

量産中TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 9A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	633 pF @ 25 V
メーカー	NXP USA Inc.
実装タイプ	Surface Mount
梱包	Bulk
製品ステータス	量産中
シリーズ	TrenchMOS™
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

ドレイン-ソース間電圧	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
最大消費電力	79W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK

動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)