一般
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
|---|---|
| ベース品番 | J112 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1 V @ 1 µA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| Power - Max | 400 mW |
機械特性
| パッケージ | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|