BUK6E2R0-30C127

NXP USA Inc

BUK6E2R0-30C127

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14964 pF @ 25 V
メーカーNXP USA Inc.
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
最大消費電力306W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージI2PAK

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)