一般
| メーカー | NXP Semiconductors |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 325 mW |
| Frequency - Transition | 170MHz |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DFN1010D-3 |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|