一般
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bag |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 5A, 25A |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bag |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 5A, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1.5A, 4V |
| Power - Max | 125 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3PN |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
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