一般
| 出力構成 | Phototransistor |
|---|---|
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 45µs, 250µs |
| Sensing Distance | 0.118" (3mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 60 mA |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | PCB Mount |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~100°C |
|---|