一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 7A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| メーカー | NTE Electronics, Inc |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 900 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| 最大消費電力 | 275W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3P |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C |
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