NTE2932

NTE Electronics, Inc

NTE2932

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 21.3A TO3PML

量産中TO-3P-3 Full Packアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 10.65A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 25 V
メーカーNTE Electronics, Inc
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21.3A (Tc)
最大消費電力90W (Tc)

機械特性

パッケージBag
Package / CaseTO-3P-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージTO-3PML

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)